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电子组件基本知识
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电子组件基本知识

一、常见的电子组件有以下几类:

1.电阻;公司的电阻有色环电阻(四色与五色环),贴片电阻,可调电阻

1.1常见贴片电阻、电容的规格型号有0603、0805、1206等。

1.2电阻用字母“R”表示,电路符号表示               或        英文全称Resistor”,单位:奥姆,字母用Ω表示﹔常见单位表示有:欧(Ω)、千欧(KΩ)、兆欧(MΩ)﹔1兆欧=103千欧=106

一般情况下把阻值化成最简单的读法。

电位器是可调电阻的一种,一般用来控制音量大小、亮度明暗、速度快慢。电阻在电路中的作用:分压、分流、与电容、电感构成虑波、耦合作用。

1.3色环电阻的识别:(见附图一)

要认识色环电阻首先须知道下列颜色代表的数字和意义:读法原则:a电阻两端都有颜色,一般从间距小,色环密的那端读起。四色环:b第一.二色环直接读出来。第三色环为10的n次方数。第四色环只是误差,读阻值时很少考虑,c四道色环时金银一般为最后一色环,表示误差。

例:



从图中距离可知是从左到右的方向读起,棕为1,黑为0,绿为5,金一般不考虑。

10×105=106奥姆=1兆欧

电阻五色环的读法同四色环大同小异,其读法规则:一般从间距小色环密那端读起。 第一.二.三.色环连在一起读出来,第四色环为10的n次方数,第五色环一般为棕色,表示误差。

例:   从左     黄 紫 黄 橙  棕



从图中间距可知从左到右读起,前三位色环直接写出来,第四色环为103。

   474×103=474K欧=474千欧=474000奥姆

附图一

颜色

第一色环第一位数

第二色环

第二位数

第三色环

第三位数

第四色环

误差

1

1

101

±1%

2

2

102

±2%

3

3

103

±3%

4

4

104

±4%

绿

5

5

105

±0.5%

6

6

106

±0.25%

7

7

107

±0.1%

8

8

108

±0.05%

9

9

109

0

100

10-1

±5%

10-2

±10%




±20%






2.电容(无极/有极性电容),电容用字母“C”表示,英文全称Capacitor,单位元法拉,用F字母表示,常见单位表示有:法拉(F)、毫法(mF)、微法(UF)、纳法(nF)、皮法(PF)。

例:1F=10×102mF=10×105 UF=10×108 nF=10×1011 PF

1F=1000 mF =1000000 UF=1000000000 nF=1000000000000 PF

电容作用有:滤波、耦合、隔直流通交流、通高频阻低频等。

电容的种类:有极性电容和无极性电容,符号分别为               和

  有极性电容如电解电容,有正负极之分不能插反. 无极性电容如瓷片电容

3贴片电阻电容:1、普通电阻:


              例: 10×103=10KΩ   10×100=10Ω 

原则:前二位数直读,第三位是倍率。


2、精密电阻


一般都有四数 例:287×101              例:10×103

即前3位是直读数  287×10=2870Ω    100×100=10000Ω

第四位是倍率10n  化简为=2.87KΩ         化简为  =10KΩ

贴片电容标示与读法和贴片电阻一样,贴片电容单位为PF,误差用字母表示












英文字母

误差

英文字母

误差

B

±0.1%

L

±15%

C

±0.25%

M

±20%

D

±0.5%

N

±30%

F

±1%

P

+100-0%

G

±2%

V

+20%

-10%

H

±3%

X

+40%

-20%

J

±5%

Z

+80%

-20%

K

±10%

Y

+60%

-25%


倍率

符号

说明

1012

T

Tera

109

G

Giga

106

M





103

K

Kilo

10-1

D

Dicti

10-2

C

Centi

10-3

m

Milli

10-6

U

Micro

10-9

n

Nano

10-12

P

Pico




 4.二极管;(普通二极管)+       -    (发光二极管)     ﹔

二极管用字母D表示,英文全称Diode。发光二极管用英文字母LED表示

二极管的作用:整流(1N4007)等、稳压(9A1)等、发光指示(LED)等。

二极管是一种常用的电子器件,它有一个PN结, 具有单向导电性,有正负极之分,不能插反.

4.三极体:电路符号

C                   C

  B B                             PNP三极管           NPN三极管

三极体用字母Q表示,三极管型号有PNP、NPN。作用:主要对信号放大即电流放大、开关控制等。(2SA733、2SC9014、13003)。三极体有依一定管脚顺序排列,不能反插.



4.1  三极管可以从表面上的字母判断是属于哪 一类型的三极管(NPN、PNP),如表面上看不出来,可用万用表测试出来是PNP还是NPN型。

4.1.-1日本工业标准(J.I.S)的晶体管之编号命名尚无统一规定,各自成为一个体系,我们仅就主要的编号命名加以说明。

(1) 第一项数字之原意为:

0:光电晶体管或光二极管。

1:二极管。

2:三极零件,例如晶体管、FET、SCR、UJT。

3:四极零件,例如双闸极FET、SCS。

(2 第二项文字:

S表示半导体semiconductor 之意。

(3 第三项文字表示用途及极性:

A:PNP高频用晶体管。

   B:PNP低频用晶体管。

   C:NPN高频用晶体管。

   D:NPN 低频用晶体管。

[注1] 高频用或低频用并无明确界线可分割,是依照登记厂商的指定用途而定。

[注2]以下所列为特种半导体,而非一般晶体管,可供参考。

      F:SCR                J:P通道FET

      G:PUT                K:N通道FET

      H:UJT                M:TRIAC

(4 第四项数字:出厂登记之序号

(5 第五项文字:改良品的意思。例如2SB773A是2SB77的改良品。


4.1-2  美国晶体管之编号

     通常以1N表示二极管,2N表示三极体,3N表示 四极体。至于其用途、极性等只有查阅特性手册才能知道。

4.1-3  欧洲晶体管之编号采用此种编号方式的欧洲国家,以荷兰、西德及英国为主。共构成顺序为文字、文字、数字元元元。  

 [例]      B       C       546

        第一项    第二项   第三项

(1 第一项文字表示制造材料。

A:锗

B:硅

C:金属氧化物材料。

D:辐射检波器用材料。

(2 第二项文字表示用途:

A:小功率二极管。

   C:小功率低频用晶体管。

   D:大功率低频用晶体管。

   E:隧道 二极管。

   F:小功率高频用晶体管。

   H:电场探示器。

   L:大功率高频用电晶休

  K:霍尔效应发生器

S:小功率开关

U:大功率二开关。

Y:大功率二极管。

Z:稽纳二极管。

(3) 第三项数字表示登记的序号。  


4.2贴片三极体在电路板的印刷其脚位排列是固定的,

   如附图








5.电感:电感的特性是阻交通直。用字母“L“表示,单位:亨利,常见单位有毫亨(m H)、微亨(U H)

1H=103MH=106UH ,电感在电路中符号为 ,常用的电感有220UH、110UH、等


  

            

6.集成块(IC)                          



集成块、用字母表示IC。集成块最怕的是人体静电。务必戴静电环。         IC管脚排列有一定顺序,一般IC有个缺口或圆点方向朝左,文字面朝上,左下端第一脚按逆时针方向数过去.                                         旅充上常用的有TP221、34063、KP817, DSP8382,4066,LM358,LM386,等IC。

集成块由集成电路构成:集成电路是组合电子电路的电子部件,它是具有一定的功能的电子电路,它具有体积小、功耗低、可靠性强的优点。因此在电子线路中得到广泛应用。


场效应管


场效应管(英缩写FET)是电压控制器件,它由输入电压来控制输出电流的变化。它具有输入阻抗高噪声低,动态范围大,温度系数低等优点,因而广泛应用于各种电子线路中。


一、场效应管的结构原理及特性


场效应管有结型和绝缘栅两种结构,每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。
1、结型场效应管(JFET)
(1)结构原理 它的结构及符号见图1。在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极,又在硅棒的两侧各做一个P区,形成两个PN结。在P区引出电极并连接起来,称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管



图1、N沟道结构型场效应管的结构及符号


由于PN结中的载流子已经耗尽,故PN基本上是不导电的,形成了所谓耗尽区,从图1中可见,当漏极电源电压ED一定时,如果栅极电压越负,PN结交接口所形成的耗尽区就越厚,则漏、源极之间导电的沟道越窄,漏极电流ID就愈小;反之,如果栅极电压没有那么负,则沟道变宽,ID变大,所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化,就是说,场效应管是电压控制组件。
(2)特性曲线
1)转移特性
图2(a)给出了N沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线,称为转移特性曲线,它和电子管的动态特性曲线非常相似,当栅极电压VGS=0时的漏源电流。用IDSS表示。VGS变负时,ID逐渐减小。ID接近于零的栅极电压称为夹断电压,用VP表示,在0≥VGS≥VP的区段内,ID与VGS的关系可近似表示为:
ID=IDSS(1-|VGS/VP|)
其跨导gm为:gm=(△ID/△VGS)|VDS=常微(微欧)|
式中:△ID------漏极电流增量(微安)
------△VGS-----栅源电压增量(伏)



图2、结型场效应管特性曲线


2)漏极特性(输出特性)
图2(b)给出了场效应管的漏极特性曲线,它和晶体三极管的输出特性曲线 很相似。
①可变电阻区(图中I区)在I区里VDS比较小,沟通电阻随栅压VGS而改变,故称为可变电阻区。当栅压一定时,沟通电阻为定值,ID随VDS近似线性增大,当VGS<VP时,漏源极间电阻很大(关断)。IP=0;当VGS=0时,漏源极间电阻很小(导通),ID=IDSS。这一特性使场效应管具有开关作用。
②恒流区(区中II区)当漏极电压VDS继续增大到VDS>|VP|时,漏极电流,IP达到了饱和值后基本保持不变,这一区称为恒流区或饱和区,在这里,对于不同的VGS漏极特性曲线近似并行线,即ID与VGS成线性关系,故又称线性放大区。
③击穿区(图中Ⅲ区)如果VDS继续增加,以至超过了PN结所能承受的电压而被击穿,漏极电流ID突然增大,若不加限制措施,管子就会烧坏。
2、绝缘栅场效应管
它是由金属、氧化物和半导体所组成,所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管,简称MOS场效应管。
(1)结构原理
它的结构、电极及符号见图3所示,以一块P型薄硅片作为衬底,在它上面扩散两个高杂质的N型区,作为源极S和漏极D。在硅片表覆盖一层绝缘物,然后再用金属铝引出一个电极G(栅极)由于栅极与其他电极绝缘,所以称为绝缘栅场面效应管。



图3、N沟道(耗尽型)绝缘栅场效应管结构及符号


在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
场效应管的式作方式有两种:当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型,当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
(2)特性曲线
1)转移特性(栅压----漏流特性)
图4(a)给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移行性曲线,图中Vp为夹断电压(栅源截止电压);IDSS为饱和漏电流。
图4(b)给出了N沟道增强型绝缘栅场效管的转移特性曲线,图中Vr为开启电压,当栅极电压超过VT时,漏极电流才开始显著增加。
2)漏极特性(输出特性)
图5(a)给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。
图5(b)为N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 。



图4、N沟道MOS场效管的转移特性曲线


图5、N沟道MOS场效应管的输出特性曲线


此外还有N衬底P沟道(见图1)的场效应管,亦分为耗尽型号增强型两种,
各种场效应器件的分类,电压符号和主要伏安特性(转移特性、输出特性)


二、场效应管的主要参数


1、夹断电压VP
当VDS为某一固定数值,使IDS等于某一微小电流时,栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP。
2、饱和漏电流IDSS
在源、栅极短路条件下,漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS。
3、击穿电压BVDS
表示漏、源极间所能承受的最大电压,即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的VDS。
4、直流输入电阻RGS
在一定的栅源电压下,栅、源之间的直流电阻,这一特性有以流过栅极的电流来表示,结型场效应管的RGS可达1000000000欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过10000000000000欧。
5、低频跨导gm
漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比,称为跨导,即
gm= △ID/△VGS
它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数,也是衡量放大作用的重要参数,此参灵敏常以栅源电压变化1伏时,漏极相应变化多少微安(μA/V)或毫安培培(mA/V)来表示




三、场效应管的注意事项

MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将MOS场效应管放人塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮。

(4)为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前,管的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然,如果能采用先进的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全;在未关断电源时,绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。

(5)在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热组件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等。

对于功率型场效应管,要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可靠地工作。

总之,确保场效应管安全使用,要注意的事项是多种多样,采取的安全措施也是各种各样,广大的专业技术人员,特别是广大的电子爱好者,都要根据自己的实际情况出发,采取切实可行的办法,安全有效地用好场效应管。

可控硅组件


一、概述


一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流组件,简称为可控硅SCR。
在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流组件(谷称“死硅”)更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安培培级电流控制大功率的机电设备,如果超过此频率,因组件开关损髦显著增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱点:静态及动态的超载能力较差;容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。


二、可控硅组件的结构和型号


1、结构
不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制极G,所以它是一种四层三端的半导体器件



图1、可控硅结构示意图和符号图


2、型号


目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种,新型号将逐步取代旧型号。


表一 KP型可控硅新旧标准主要特性参数对照表


参数

部颁新标准(JB1144-75)

部颁旧标准(JB1144-71)

序号

KP型右控硅整流组件

3CT系列可控硅整流组件

1

额定通态平均电流(IT(AV))

额定正向平均值电流(IF)

2

断态重复峰值电压(UDRM)

正向阻断峰值电压(UPF)

3

反向重复峰值电压(URRM)

反向峰值电压(VPR)

4

断态重复平均电流(IDR(AV))

正向平均漏电流(I)

5

反向重复平均电流(IRR(AV))

反向平均漏电电流(IRL)

6

通态平均电压(UT(AV))

最大正向平均电压降(VF)

7

门极触发电流(IGT)

控制极触发电流(Ig)

8

门极触发电压(UGT)

控制极触发电压(Vg)

9

断态电压临界上升率(du/dt)

极限正向电压上升率(dV/dt)

10

维持电流(IH)

维持电流(IH)

11

额定结温(TjM)

额定工作结温(Tj)



KP型可控硅的电流电压级别见表二
表二、KP型可控硅电流电压级别


额定通态平均
电流IT(AV)(A)

1,5,10,20,30,50,100,200,300,400,500,600,700,800,100

正反向重复
峰值电压UDRM,
URRM(×100)(V)

1~10,12,14,16,18,20,22,24,26,,28,30

通态平均电压
UT(AV)(V)

A

B

C

D

E

F

G

H

I

≤0.4

0.4~0.5

0.5~0.6

0.6~0.7

0.7~0.8

0.8~0.9

0.9~1.0

1.0~1.1

1.1~1,2



示例:
(1)KP5-10表示通态平均电流5安,正向重复峰值电压1000伏的普通反向阻断型可控硅组件。
(2)KP500-12D表示通态平均电流500安,正、反向重复峰值电压1200伏,通态平均电压0.7伏的业通反向阻断型可控硅组件。
(3)3CT5/600表示通态平均电流5安,正、反向重复峰值电压600伏的旧型号普通可控硅组件。


三、可控硅组件的工作原理及基本特性


1、工作原理
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构组件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如图2所示



图2、可控硅等效图解图


当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正回馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正回馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化,此条件见表三


表三、可控硅导通和关断条件


状态

条件

说明

从关断到导通

1、阳极电位高于是阴极电位
2、控制极有足够的正向电压和电流

两者缺一不可

维持导通

1、阳极电位高于阴极电位
2、阳极电流大于维持电流

两者缺一不可

从导通到关断

1、阳极电位低于阴极电位
2、阳极电流小于维持电流

任一条件即可



2、基本伏安特性


可控硅的基本伏安特性见图3



图3、可控硅基本伏安特性


(1)反向特性 当控制极开路,阳极加上反向电压时(见图4),J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,接差J3结也击穿,电流迅速增加,图3的特性开始弯曲,如特性OR段所示,弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时,可控硅会发生永久性反向击穿。
(2)正向特性 当控制极开路,阳极上加上正向电压时(见图5),J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,图3的特性发生了弯曲,如特性OA段所示,弯曲处的是UBO叫:正向转折电压



图4、阳极加反向电压


图5、阳极加正向电压


由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合,同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉,这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性,见图3的虚线AB段。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,可控硅便进入正向导电状态---通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似,见图3中的BC段
3、触发导通
在控制极G上加入正向电压时(见图6)因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在可控硅的内部正回馈作用(见图2)的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。



图6、阳极和控制极均加正向电压


变压器

   变压器是变换交流电压、电流和阻抗的器件,当初级线圈中通有交流电流时,铁芯(或磁芯)中便产生交流磁通,使次级线圈中感应出电压(或电流)。变压器由铁芯(或磁芯)和线圈组成,线圈有两个或两个以上的绕组,其中接电源的绕组叫初级线圈,其余的绕组叫次级线圈。

一、分类
按冷却方式分类:干式(自冷)变压器、油浸(自冷)变压器、氟化物(蒸发冷却)变压器。
按防潮方式分类:开放式变压器、灌封式变压器、密封式变压器。
按铁芯或线圈结构分类:芯式变压器(插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯)、壳式变压器(插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯)、环型变压器、金属箔变压器。
按电源相数分类:单相变压器、三相变压器、多相变压器。
按用途分类:电源变压器、调压变压器、音频变压器、中频变压器、高频变压器、脉冲变压器。

二、电源变压器的特性参数

1、工作频率
   变压器铁芯损耗与频率关系很大,故应根据使用频率来设计和使用,这种频率称工作频率。
2、额定功率
   在规定的频率和电压下,变压器能长期工作,而不超过规定温升的输出功率。
3、额定电压
   指在变压器的线圈上所允许施加的电压,工作时不得大于规定值。
4、电压比
  指变压器初级电压和次级电压的比值,有空载电压比和负载电压比的区别。
5、空载电流
   变压器次级开路时,初级仍有一定的电流,这部分电流称为空载电流。空载电流由磁化电流(产生磁通)和铁损电流(由铁芯损耗引起)组成。对于50Hz电源变压器而言,空载电流基本上等于磁化电流。
6、空载损耗
   指变压器次级开路时,在初级测得功率损耗。主要损耗是铁芯损耗,其次是空载电流在初级线圈铜阻上产生的损耗(铜损),这部分损耗很小。
7、效率
   指次级功率P2与初级功率P1比值的百分比。通常变压器的额定功率愈大,效率就愈高。
8、绝缘电阻
   表示变压器各线圈之间、各线圈与铁芯之间的绝缘性能。绝缘电阻的高低与所使用的绝缘材料的性能、温度高低和潮湿程度有关。

                           质量管理知识

内容:

质量代表了一个国家的科学技朮,生产水平、管理水平和文化水平、产品质量的提高意味着经济效益的提高。

质量定义:

反映实体满足明确或隐含需要能力的特性总和,它也是产品服务或过程满足规定或潜在需要的特性总和。

不合格:不满足规定的要求。

缺陷:不满足预期的使用要

程序:完成某项活动所规定的方法。

没有质量就没明天“以质取胜”是使企业立于不败之地的法宝。公司创造利润是建立在高质量、高效率及低成本的基础上,质量的好坏又直接影响效率与成本,质量的好坏不只是客户今后是否继续往来主要的考虑因素,也是企业生存发发展的根源,质量代表着利润、也代表着生产力,更代表着市场占有率。

质量是拉住客户最有效的利器。

质量是生产部门生产出来的,不是品检人员检查出来的,同时望相关人员不要依赖于品检人员,一定要有明确的概念。我们的宣言“不做不良品”生产时防止不良品的要决:

1 要从产生不良的变异来加以预防及控制(机器、材料、方法、操作、环境因素、管理因素)。

2 稳定人员。

3 良好的教育训练。

4 建立标准化。

5 清除环境乱象。



常用名词:

品管技朮人员简称QE

生产技朮人员简称PE

统计品管Statistical Quality Control简称SQC

全面质量管理Total Quality Control 简称TQC

全公司质量管理Company Wide Quality Control 简称CWQC

管制图Comtrol Chart

允收水平Acceptable Quality Level 简称AQL

工业工程简称IE 

主要技法有工作研究OR

方法研究Method Research简称MR

工程分析简称EA

检验标准Standard Inspection Porcedure SIp

进料检验 Incomming Quality Control简称IQC

制程检验Iprocess Quality Conttrol 简称IPQC

最终检验Finol Quolity Control简称FQC

出货检验Outgoing Qualitey Contorl 简称OQC

品质稽核Quality Audit简称QA

质量控制Quality Audit

示波器操作说明

一、器功能说明:

示波器主要是把我们看不到、触模不到的无线信号、有线信转换成眼睛能够看见的视频信号,以便于我们对所需待测信号的幅度、频率、波形是否失真做出直观的对比与判断。

二、功能键说明:

1.POWER:电源开关,按制按下去仪器电源开启,按制按上仪器电源关掉

2.IHTEH:亮度调节钮,可以调整显示屏的明暗度,以适应不同的坏境﹔

3.FOCUS:聚焦调节钮,可以调整扫描基线的粗细﹔

4.TRACE ROTATION:微调扫描基线的偏转度

5.△POSITIOH:调整扫描基线的左右(X轴)﹔

6.△POSITIOH△:调整扫描基线的左右(Y轴)﹔

7.TIME/DIV:调整扫描时间﹔

8.SWP/VAR:微调扫描时间﹔

9.VOITS/DIV:调整输入信号第格的显示幅度(内圈还有一微调钮)﹔

10.CHI X:第一轴输入信号插孔﹔

11.CH2 Y:第二轴输入信号插孔﹔

12.AC、GHD、DC:转换健,转换输入信号显示DC或AC成份﹔

13.ALT(CHOP):锁定键

14.MODE(CH1、CH2、DUAX、ADD):选择扫描方式﹔

15.CH2、1NV:第二轴输入信号反相;

16.SLOPE:触发信号反相;

17.LEVEL:微调钮﹔

18.SOURCE(CH1、CH2、LINE、EXT):选择触发信号﹔

19.MODE(AUTO、NORM、TV-V、TV-H)选择扫描方式﹔

三、操作说明:

1.首先打开POWER按制,开启电源﹔

2.待显示扫描基线后,适当调INTEN亮度键显示﹔

3.检查扫描基线是否偏移,如有偏移用一字小螺刀微调TRACE ROTATION﹔

4.把示波器、测试棒插入CH1或CH2(测试棒调节X1处)﹔

5.选择VOLTS/DIV和TIME/DIV﹔

6.把MODE定在AUTO檔,SOURCE定在CH1檔﹔

7.探头接触测试信号﹔

8.判定测试信号是否合乎标准﹔

四、操作中易发生问题的排除:

1.无扫描基线:

a.请检查电源插头是否插进座中﹔

b.请检查POWER按制是否按下﹔

2.显示波形不稳定:

a.检查SOURCE,触发信号是否适当﹔

b.微调LEVEL。

3.显示波形过大、过小(不符合测试标准)

a.检查信号源幅值是否正确﹔

b.检查测试棒是否打于X1处,如不是请校正﹔

c.检查VOLTS/DIV是否与测试标准要求一致﹔

d.检查VOLTS/DIV微调按制是否打开。

四、注意事项:

1.插电源之前,请确定仪器是110V还是220V,电源插座是110V或是220V﹔

2.请检查电源接地线是否边接良好﹔

3.测试线不能折迭与压入仪器良好﹔

6 保养事项:

1.要定期清除示波器上之灰尘﹔

2.擦试仪器时不能用有机或无机溶液擦试仪器表面。例:酒精、天那水、三氯乙烷等。

3.擦试时请用干净的毛巾擦试。



GHG-8216数显式讯号产生器操作说明

一、功能说明:

  讯号产生器仪是提供信号对电路进行动态测试,以便于检测电路的电子性能是否符合检验标准。GFG-3216数显式讯号产生器有以下几项功能:

1 能够产生0.3HZ-3HZ的弦波、锯齿波、方波讯号﹔

2 能够产生0-25VP-P的正弦波、锯齿波、方波讯号

3 有<VCF>外接控制信号端口

4 有外接频率计数功能

5 能产生±10V直流信号

6 可以补偿,调节外接频率的幅度、周期

二、各功能键说明:

7 POWER:电源开关,按此键可以控制仪器电源的开关

8 FBBPUENCY:频率调节钮,调节此钮与配合各档们可以产生0.3HZ-3MHZ的正弦波、锯齿波、方波讯号,各文件可以产生的讯号范围如下表:

/檔位

1

10

100

1K

10K

100K

1M

可产生的频率范 围

0 3HZ


3HZ

3HZ


30HZ

30HZ


300HZ

300HZ


3KHZ

3KHZ


30KHZ

30KHZ


300KHZ

300KHZ


3MHZ

3.1、10、100、1K、10K、100K、1M讯号产生范围调节键。按下各键后可以产生的频率如上表<每文件上面含有与之对应的指示灯>。

4.GATE:选择外按频率计数进位值<选择内部讯号时,此键失效>含有与之对应的指示灯

5. 0.01、0.1、1、10:选择外接频率计数时的进位点,每按GATE

一次,进位点改变一次,并含有与之对的指示灯。

6.       方波、锯齿波、正弦波选择键,按  产生方波﹔按  产生锯齿波﹔按  产生正弦波﹔

7.ATT-20dB:衰减-20dB从讯号输出,按此刍后讯号衰减-20dB输出,并含有与之对应的指示灯﹔

8.OUT PUT 50Ω:讯号输出端口,讯号从此输入待测板﹔

9.AMPL:不拔出时:讯号衰减P-P值调节钮,调节此钮可产生0-2.5VP-P值的波形﹔

      拔出时:讯号

衰减-20dB后输出。

10.CMOS: 不拔出时:补偿信号的直流基波成份

      拔出时:产生10V直流基波。

11.DUTY:    不拔出时:

      拔出时:校正振荡器的周期。

12.COUNTFR:      INT:内部讯号转换输出键。

内 外 部 讯 号 选 择 键  EXT:外部讯号转换输出键。









常用组件的测试方法

二极管类:

公司常用的二极管有以下几种:

1N4007、1N5819、FR103、FR107、SB260、SR260、UF4005、

SB3100、1N4148、稽纳二极管

测试方法:

把万用表打到二极管档位,红表笔接二极管正极黑表笔接二极管负极万用表显示为200-800的数值(数值的大小是根据二极管的类型而定,如1N5819的数值显示应为170-200左右,而1N4007的数值应为600-700),红黑表笔反过来接应为无穷大则为良品反之则为不良品。










三极体类:

公司常用的三极体有以下几种:

8550、2907、945、13001、13003、9014、772、733、945

各三极管管脚排列:

















测试方法:

1 NPN型三极管的测试方法:把万用表打到二极管档位,红表笔接三极管B极黑表笔分别接三极管C极、E极万用表显示为500-800的数值(数值的大小是根据三极管的类型而定),红黑表笔反过来接应为无穷大则为良品反之则为不良品。

2 PNP型三极管的测试方法:把万用表打到二极管档位,黑表笔接三极管B极红表笔分别接三极管C极、E极万用表显示为500-800的数值(数值的大小是根据三极管的类型而定),红黑表笔反过来接应为无穷大则为良品反之则为不良品。

电阻类:

公司常用的电阻有以下几种:

碳膜电阻、氧化膜电阻、芯片电阻、绕线电阻、热敏电阻、

测试方法:

电阻的测试方法比较简单,首先读出待测电阻的阻值(电阻的阻值会直接或间接的标示出来)然后把万用表打到相应的电阻挡位,用万用表的红黑表笔任意接在电阻的两端,待万用表的读数稳定时便是该电阻的阻值。

例如:用万用表测试一个阻值为100R 5%的电阻时,该电阻的阻值应该在95R-105R。万用表打到×200R挡测试,如果万用表读数在95R-105R则表示该电阻是良品,如果不符合该阻值范围则属于不良品。

电容类:

公司常用的电容有以下几种:

电解电容、瓷片电容、芯片电容、Y1电容

电容的测试方法:

测试电容的容量必须用带有电容测试功能的万用表或专用的电容测试表测试。方法同电阻的测试方法一样容量+误差=良品容量。

IC类:

公司常用的IC有:

34063、358、VIP12、494、817、266

IC的测试方法:

IC的测试用万用表比较难判断,除非是击穿短路、开路的不良品IC可以用万用表判断。(IC是由多个电路组成IC内部如果有一个电路损坏造成不能工作用万用表不能直接判断IC好坏只能通过良品IC代换的方式来判断IC的好坏)



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